
放大倍率對於SEM成像重要嗎?
「放大」是一個非常簡單的概念,但有時會因為本身的定義而造成混淆,然而隨著科學進步,對微米和奈米世界的興趣呈指數增長,因此需要量化放大倍率。現今對放大倍率的定義是兩次測量之間的比率,意指需要…
「放大」是一個非常簡單的概念,但有時會因為本身的定義而造成混淆,然而隨著科學進步,對微米和奈米世界的興趣呈指數增長,因此需要量化放大倍率。現今對放大倍率的定義是兩次測量之間的比率,意指需要…
高性能電子束的設備對磁場變化非常敏感,當環境磁場發生變化時,會造成電子顯微鏡中的電子束偏轉,進而導致機台的分辨率和測量精準度下降。這時候消磁…
高分子又稱為聚合物,是由許多小分子單體共聚合而成,像是生活中隨處可見的塑膠、橡膠、樹脂或是纖維皆是常見的高分子材質,由於…
IC切片手法大致分為裂片 (Cleavage)、傳統機械研磨(Grinding)、離子研磨CP(Ion Milling)、聚焦離子束FIB(Focused Ion Beam)等四種。想要知道四種IC切片手法的優缺點與適用環境嗎?本文除了詳細解釋以外,還附上案例照片影片供您參考喔!
在半導體製程當中,想要精確的發現製程缺陷,少不了半導體缺陷分析。而在這中間表面分析儀器與手法更是重中之重。本文大略介紹了何為表面分析技術,以及一些常見的表面分析工具,包含SEM、XPS、AES、AFM和SIMS,還有這些工具在不同步驟中的應用。
為了不斷提高電子顯微鏡解析度和成像品質,製造商的環境規範變得越來越嚴格,配備光譜儀的高階顯微鏡只能承受高達 10 或 20 奈米特斯拉的干擾;在無法遷移其他設備並重新安置所有設施的情況下,可以採取不同措施來應對震動和磁場的嚴重性並抵消其影響。
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