具備 2K×2K 解析度與 40 FPS 全片幅高速成像。主打高性能 CMOS 偵測器、高幀率與模組化升級設計，非常適合日常實驗、動態臨場成像與大視野觀測。

具備 1600 萬超大視野高清成像、90 FPS 高速採集與獨立 AI 工作站。主打高性能 CMOS 偵測器、高幀率與模組化升級設計，非常適合日常實驗、動態臨場成像與大視野觀測。

全面適配SEM平台。256×256像素（像素尺寸55μm），支援Frame或Event雙讀出模式。基於 Timepix3 晶片，採用尖端的事件驅動（Event-driven）架構，主打零讀出雜訊、1.56 ns 超高時間解析度（等效幀率 > 1,000,000 fps），是前瞻低電壓、低劑量電流敏感材料研究的革命性突破。

適配TEM平台。256×256像素，最小駐留時間0.2μs，針對60kV進行優化（DQE≥0.9），穩定支援5-300kV。基於 Timepix3 晶片，採用尖端的事件驅動（Event-driven）架構，主打零讀出雜訊、1.56 ns 超高時間解析度（等效幀率 > 1,000,000 fps），是前瞻低電壓、低劑量電流敏感材料研究的革命性突破。

臨場多模態關聯分析——完美融合SEM / EDS與AFM的革命性技術。高解析表面形貌分析、電性與磁性量測、AFM + SEM + EDS 整合分析、真空環境臨場量測、桌上型高效能奈米分析平台。

Rotary pumped coater (Sputter/Evaporation /Combined)

Ion milling, polishing and cleaning

適用SEM及TEM的電漿清洗機

半導體產業

Semiconductor Industry

半導體製程異常、失效分析與材料污染的挑戰

1.缺陷不可視的奈米級挑戰

隨著半導體製程邁向2nm/3nm等尖端節點，傳統光學檢測已難以辨識埋藏於多層結構深處的奈米級缺陷（如粒子污染、微裂縫、線路瑕疵等）。

解決方案：

針對奈米級缺陷不可視的難題，可透過SEM進行奈米等級的觀測。

Phenom Pharos G2：全球獨家桌上型場發射電子顯微鏡，採用FEG燈絲源，解析度優於2nm，可搭配多款專門分析軟體，如：EDS/EDX元素分析、粒徑分析等。

2.先進製程微縮與多層堆疊導致的分析盲點

隨著FinFET、GAA 及 3D IC、TSV、Fan-out 等先進製程與封裝普及，元件的材料堆疊日益複雜且尺寸極其微細。這種高度複雜的結構使傳統截面製備極易產生變形、分層或材料 Smear 等偽影 (Artifacts)，導致真實的界面資訊 (Interface Information) 缺失。

解決方案：

離子研磨機： 透過高精度離子束製備技術，能在不破壞晶體結構的前提下取得無偽影 (Artifacts) 的截面。

濺鍍機： 針對不導電樣品在表面鍍上一層極薄的金或碳導電膜，減少電子所導致的電荷累積效應，使得電子成像更加清晰，有利電子顯微鏡的觀察與應用。

3.有機污染與表面附著異常的潔淨度挑戰

半導體製程對表面潔淨度極度敏感，微量的光阻殘留、殘膠、有機污染 (Organic Contamination) 或氧化層等，皆會導致鍍膜附著力 (Adhesion) 異常、鍵結失敗及接觸電阻 (Contact Resistance) 上升。由於製程步驟繁瑣且材料複雜，污染物易在前後段製程反覆出現，造成嚴重的良率波動。